1
|
1.Електронні інтегральні мікросхемиопераційні підсилювачі:140МА101А бК0.347.004ТУ6-2370 шт.Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі.Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів:характеристики И1,С1 по 2У;И2,И3,С3,К1 по 1У.Місткість пам'яті-пам'ять відсутня; Технологія виготовлення-біполярна;Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'ятовувальні пристрої відсутні.Виробник:ДП""КВАЗАР-ІС"".Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""КВАЗАР-ІС"".
|
ООО ""Элит-Компонент""
|
Дочірнє підприємство""КВАЗАР-ІС""
|
2017-01-11
|
UKRAINE
|
2
|
1.Електронні інтегральні схеми:Операційні підсилювачі 140УД601А бК0.347.004ТУ4-2000 шт.Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі.Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів:характеристики И1,С1 по 2У;И2,И3,С3,К1 по 1У. Місткість пам'яті- пам'ять відсутня;Технологія виготовлення-біполярна;Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'ятовувальні пристрої відсутні.Виробник:ДП""КВАЗАР-ІС"".Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""КВАЗАР-ІС"".
|
ВАТ ""Горисский Гамма""
|
Дочірнє підприємство""КВАЗАР-ІС""
|
2016-11-09
|
UKRAINE
|
1.89 кг
|
3
|
1.Електронні інтегральні схеми:Операційні підсилювачі 140УД601А бК0.347.004ТУ4-2000 шт.Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі.Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів:характеристики И1,С1 по 2У;И2,И3,С3,К1 по 1У. Місткість пам'яті- пам'ять відсу
|
ВАТ ""Горисский Гамма""
|
Дочірнє підприємство""КВАЗАР-ІС""
|
2016-11-09
|
UKRAINE
|
1.89 кг
|
4
|
1.Електронні інтегральні мікросхемиопераційні підсилювачі 140УД601А бКО.347.004ТУ4-40 шт.Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі.Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів:характеристики И1,С1 по 2У;И2,И3,С3,К1 по1У.Місткість пам'яті-пам'ять відсутня; Технологія виготовлення-біполярна;Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'ятовувальні пристрої відсутні.Виробник:ДП""КВАЗАР-ІС"".Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""КВАЗАР-ІС"".
|
ВАТ ""Вітебський завод електровимірювальних приборів""
|
Дочірнє підприємство""КВАЗАР-ІС""
|
2016-10-24
|
UKRAINE
|
0.07 кг
|
5
|
1.Електронні інтегральні мікросхеми аналоговий перемикач143КТ1 АЕЯР.431136.003ТУ-950 шт.Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі.Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів: характеристики И1, С1 по 2У;И2,И3,С3,К1 по 1У.Місткість пам'яті-пам'ять відсутня;Технологія виготовлення-біполярна;Тип запам'ятовувальних пристроїв- запам'ятовувальні пристрої відсутні.Виробник:ДП""КВАЗАР-ІС"".Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""КВАЗАР-ІС"".
|
ОАО ""ТНК""Дастан""
|
Дочірнє підприємство""КВАЗАР-ІС""
|
2016-10-24
|
UKRAINE
|
950.00 шт
|
6
|
1.Електронні інтегральні мікросхемиопераційні підсилювачі:140УД601А бКО.347.004ТУ4-2 шт.,140УД17Б бК0.347.004ТУ17-170 шт.Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі.Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів:характеристики И1,С1 по 2У;И2,И3,С3,К1 по 1У.Місткість пам'яті-пам'ять відсутня; Технологія виготовлення-біполярна;Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'ятовувальні пристрої відсутні.Виробник:ДП""КВАЗАР-ІС"".Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""КВАЗАР-ІС"".
|
АО""РАДИАНТ-ЭЛКОМ""Юр.адрес 105484,Москва,16 Парковая,27,РФ
|
Дочірнє підприємство""КВАЗАР-ІС""
|
2016-10-24
|
UKRAINE
|
0.29 кг
|
7
|
1.Електронні інтегральні мікросхеми операційні підсилювачі: 140МА101А бК0.347.004ТУ6-3135 шт. Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі. Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів:характеристики И1,С1 по 2У;И2,И3,С3,К1 по 1У. Місткість пам'яті-пам'ять відсутня; Технологія виготовлення-біполярна; Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'ятовувальні пристрої відсутні. Виробник:ДП""КВАЗАР-ІС"". Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""КВАЗАР-ІС"".
|
ООО ""Элит-Компонент""
|
Дочірнє підприємство""КВАЗАР-ІС""
|
2016-06-15
|
UKRAINE
|
3.66 кг
|
8
|
1.Електронні інтегральні мікросхеми операційні підсилювачі: 140УД601А бКО.347.004ТУ4-16 шт., 1408УД1 бКО.347.299-01Ту-200 шт., 140УД17А бК0.347.004ТУ17-150 шт., 140УД20А бКО.347.004ТУ14-200 шт., 140УД17Б бК0.347.004ТУ17-8 шт. Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі. Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів:характеристики И1,С1 по 2У;И2,И3,С3,К1 по 1У. Місткість пам'яті-пам'ять відсутня; Технологія виготовлення-біполярна; Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'ятовувальні пристрої відсутні. Виробник:ДП""КВАЗАР-ІС"". Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""КВАЗАР-ІС"".
|
АО""РАДИАНТ-ЭЛКОМ"" Юр.адрес 105484,Москва,16 Парковая,27,РФ
|
Дочірнє підприємство""КВАЗАР-ІС""
|
2016-06-14
|
UKRAINE
|
0.88 кг
|
9
|
1.Електронні інтегральні мікросхеми операційні підсилювачі: 140УД17Б бК0.347.004ТУ17-250 шт., 1408УД1 бК0.347.299-01ТУ-59 шт. Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі. Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів:характеристики И1,С1 по 2У;И2,И3,С3,К1 по 1У. Місткість пам'яті-пам'ять відсутня; Технологія виготовлення-біполярна; Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'ятовувальні пристрої відсутні. Виробник:ДП""КВАЗАР-ІС"". Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""КВАЗАР-ІС"".
|
АО""РАДИАНТ-ЭЛКОМ""Юр.адрес 105484,Москва,16 Парковая,27,РФ
|
Дочірнє підприємство""КВАЗАР-ІС""
|
2016-04-28
|
UKRAINE
|
0.46 кг
|
10
|
1.Електронні інтегральні схеми: Операційні підсилювачі 140УД601А бК0.347.004ТУ4-4000 шт. Схеми аналогові. Не є радіаційно стійкі. Вимоги по стійкості к впливу спеціальних факторів:характеристики И1,С1 по 2У;И2,И3,С3,К1 по 1У. Місткість пам'яті- пам'ять відсутня; Технологія виготовлення-біполярна; Тип запам'ятовувальних пристроїв-запам'ятовувальні пристрої відсутні. Виробник:ДП""КВАЗАР-ІС"". Країна виробництва:UA, ТМ:ДП""КВАЗАР-ІС"".
|
ВАТ ""Горисский Гамма""
|
Дочірнє підприємство""КВАЗАР-ІС""
|
2016-04-25
|
UKRAINE
|
4.00 кг
|